Toshiba bringt Small und Thin Common auf den Markt

Jun 07, 2023

KAWASAKI, Japan, 18. Mai 2023--(BUSINESS WIRE)--Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation („Toshiba“) hat „SSM14N956L“ auf den Markt gebracht, einen 12-V-Common-Drain-N-Kanal-MOSFET mit einem Nennstrom von 20 A Verwendung in Batterieschutzschaltungen in Lithium-Ionen-Akkus (Li-Ion), beispielsweise für mobile Geräte. Der Versand beginnt heute.

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Toshiba: SSM14N956L, ein kleiner und dünner Common-Drain-MOSFET mit sehr niedrigem Einschaltwiderstand (Grafik: Business Wire)

Li-Ionen-Akkus basieren auf äußerst robusten Schutzschaltungen, um die Wärmeentwicklung beim Laden und Entladen zu reduzieren und die Sicherheit zu erhöhen. Diese Schaltkreise müssen einen geringen Stromverbrauch und eine hohe Packungsdichte aufweisen, was kleine und dünne MOSFETs erfordert, die einen niedrigen Einschaltwiderstand bieten.

SSM14N956L nutzt den Mikroprozess von Toshiba, ebenso wie der bereits veröffentlichte SSM10N954L. Dies gewährleistet sowohl einen geringen Leistungsverlust aufgrund der branchenführenden[1] niedrigen Einschaltwiderstandseigenschaften als auch eine niedrige Standby-Leistung, die durch die branchenführenden[1] niedrigen Gate-Source-Leckstromeigenschaften erreicht wird. Diese Eigenschaften tragen dazu bei, die Betriebsstunden der Batterie zu verlängern. Das neue Produkt verwendet außerdem ein neues kleines, dünnes Gehäuse, TCSPED-302701 (2,74 mm x 3,0 mm, t = 0,085 mm (typ.)).

Toshiba wird weiterhin MOSFET-Produkte für Schutzschaltungen in Geräten entwickeln, die mit Lithium-Ionen-Akkus betrieben werden.

Anwendungen

Unterhaltungselektronik sowie Büro- und Privatgeräte mit einem Lithium-Ionen-Akku, darunter Smartphones, Tablets, Powerbanks, tragbare Geräte, Spielekonsolen, elektrische Zahnbürsten, kompakte Digitalkameras, digitale Spiegelreflexkameras usw.

Merkmale

Branchenführender[1] niedriger Einschaltwiderstand: RSS(ON)=1,1 mΩ (typ.) bei VGS=3,8 V

Branchenführend[1] niedriger Gate-Source-Leckstrom: IGSS=±1μA (max.) bei VGS=±8V

Kleines und dünnes TCSPED-302701-Gehäuse: 2,74 mm x 3,0 mm, t = 0,085 mm (typ.)

Common-Drain-Struktur, die problemlos in Batterieschutzschaltungen verwendet werden kann

Hinweis:[1]: Unter Produkten mit den gleichen Bewertungen. Stand: Mai 2023, Toshiba-Umfrage.

Hauptspezifikationen

(Sofern nicht anders angegeben, Ta=25°C)

Artikelnummer

SSM14N956L

SSM10N954L[2]

Aufbau

N-Kanal-Common-Drain

Absolut beste Bewertungen

Quelle-Quelle-Spannung VSSS (V)

12

Gate-Source-Spannung VGSS (V)

±8

Quellenstrom (DC) IS (A)

20.0

13.5

Elektrische Eigenschaften

Gate-Source-Leckstrom IGSS

max (μA)

@VGS＝ ±8V

±1

Source-SourceOn-Widerstand RSS(ON)

typ. (mΩ)

@VGS = 4,5 V

1,00

2.1

@VGS＝3,8V

1.10

2.2

@VGS = 3,1 V

1,25

2.4

@VGS = 2,5 V

1,60

3.1

Pakete

Name

TCSPED-302701

TCSPAC-153001

Größe typ. (mm)

2,74x3,

t=0,085

1,49 x 2,98,

t=0,11

Musterprüfung und Verfügbarkeit

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Hinweis:[2] Bereits veröffentlichtes Produkt.

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Über Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, ein führender Anbieter fortschrittlicher Halbleiter- und Speicherlösungen, greift auf über ein halbes Jahrhundert Erfahrung und Innovation zurück, um Kunden und Geschäftspartnern herausragende diskrete Halbleiter, System-LSIs und HDD-Produkte anzubieten. Das Unternehmen beschäftigt weltweit 21.500 Mitarbeiter Wir teilen die Entschlossenheit, den Produktwert zu maximieren, und fördern eine enge Zusammenarbeit mit Kunden bei der gemeinsamen Schaffung von Werten und neuen Märkten. Mit einem Jahresumsatz von fast 800 Milliarden Yen (6,1 Milliarden US-Dollar) freut sich die Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation darauf, eine bessere Zukunft für Menschen auf der ganzen Welt aufzubauen und dazu beizutragen. Weitere Informationen finden Sie unter https://toshiba.semicon-storage.com /ap-en/top.html

Quellversion auf businesswire.com ansehen: https://www.businesswire.com/news/home/20230517005369/en/

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