Toshiba bringt Small und Thin Common auf den Markt

Sep 01, 2023

Autor des Artikels:

KAWASAKI, Japan – Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation („Toshiba“) hat „SSM14N956L“ auf den Markt gebracht, einen 12-V-Common-Drain-N-Kanal-MOSFET mit einem Nennstrom von 20 A für den Einsatz in Batterieschutzschaltungen in Lithium-Ionen-Batterien (Li-Ion). (Ionen-)Akkupacks, beispielsweise für mobile Geräte. Der Versand beginnt heute.

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Li-Ionen-Akkus basieren auf äußerst robusten Schutzschaltungen, um die Wärmeentwicklung beim Laden und Entladen zu reduzieren und die Sicherheit zu erhöhen. Diese Schaltkreise müssen einen geringen Stromverbrauch und eine hohe Packungsdichte aufweisen, was kleine und dünne MOSFETs erfordert, die einen niedrigen Einschaltwiderstand bieten.

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SSM14N956L nutzt den Mikroprozess von Toshiba, ebenso wie der bereits veröffentlichte SSM10N954L. Dies gewährleistet sowohl einen geringen Leistungsverlust aufgrund der branchenführenden[1] niedrigen Einschaltwiderstandseigenschaften als auch eine niedrige Standby-Leistung, die durch die branchenführenden[1] niedrigen Gate-Source-Leckstromeigenschaften erreicht wird. Diese Eigenschaften tragen dazu bei, die Betriebsstunden der Batterie zu verlängern. Das neue Produkt verwendet außerdem ein neues kleines, dünnes Gehäuse, TCSPED-302701 (2,74 mm x 3,0 mm, t = 0,085 mm (typ.)).

Toshiba wird weiterhin MOSFET-Produkte für Schutzschaltungen in Geräten entwickeln, die mit Lithium-Ionen-Akkus betrieben werden.

Anwendungen

Merkmale

Hinweis: [1]: Unter Produkten mit den gleichen Bewertungen. Stand: Mai 2023, Toshiba-Umfrage.

Hauptspezifikationen

(Sofern nicht anders angegeben, Ta=25°C)

Artikelnummer

SSM14N956L

SSM10N954L[2]

Aufbau

N-Kanal-Common-Drain

Absolut beste Bewertungen

Quelle-Quelle-Spannung VSSS (V)

12

Gate-Source-Spannung VGSS (V)

±8

Quellenstrom (DC) IS (A)

20.0

13.5

Elektrische Eigenschaften

Gate-Source-Leckstrom IGSS

max (μA)

@VGS＝ ±8V

±1

Quelle-Quelle-Einschaltwiderstand RSS(ON)

typ. (mΩ)

@VGS = 4,5 V

1,00

2.1

@VGS＝3,8V

1.10

2.2

@VGS = 3,1 V

1,25

2.4

@VGS = 2,5 V

1,60

3.1

Pakete

Name

TCSPED-302701

TCSPAC-153001

Größe typ. (mm)

2,74×3,

t=0,085

1,49×2,98,

t=0,11

Musterprüfung und Verfügbarkeit

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Hinweis: [2] Bereits veröffentlichtes Produkt.

Folgen Sie dem Link unten, um mehr über das neue Produkt zu erfahren. SSM14N956L

Um die Verfügbarkeit des neuen Produkts bei Online-Händlern zu prüfen, besuchen Sie: SSM14N956L Online kaufen

* Firmennamen, Produktnamen und Servicenamen können Marken der jeweiligen Unternehmen sein. * Die Informationen in diesem Dokument, einschließlich Produktpreise und -spezifikationen, Inhalt der Dienstleistungen und Kontaktinformationen, sind zum Zeitpunkt der Ankündigung aktuell, können sich jedoch ohne vorherige Ankündigung ändern.

Über Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, ein führender Anbieter fortschrittlicher Halbleiter- und Speicherlösungen, greift auf über ein halbes Jahrhundert Erfahrung und Innovation zurück, um Kunden und Geschäftspartnern herausragende diskrete Halbleiter, System-LSIs und HDD-Produkte anzubieten. Die 21.500 Mitarbeiter des Unternehmens auf der ganzen Welt teilen die Entschlossenheit, den Produktwert zu maximieren und eine enge Zusammenarbeit mit Kunden bei der gemeinsamen Wertschöpfung und neuen Märkten zu fördern. Mit einem Jahresumsatz von nahezu 800 Milliarden Yen (6,1 Milliarden US-Dollar) freut sich die Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation darauf, eine bessere Zukunft für Menschen auf der ganzen Welt aufzubauen und dazu beizutragen. Erfahren Sie mehr unter https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

Quellversion auf businesswire.com ansehen: https://www.businesswire.com/news/home/20230517005369/en/

Kontakte

Kundenanfragen Verkaufs- und Marketingabteilung für Kleinsignalgeräte Tel.: +81-44-548-2215 Kontaktieren Sie uns

Medienanfragen: Chiaki Nagasawa Digital Marketing Department Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation [email protected]

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